Bipolartransistor BC817

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC817

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular BC337 transistor

Pinbelegung des BC817

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC817 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC817-16 liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC817-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC817-40 im Bereich von 250 bis 600.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC817 ist der BC807.

Transistor BC817 im TO-92-Gehäuse

Der BC337 ist die TO-92-Version des BC817.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC817

Sie können den Transistor BC817 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BCW66, BCX19, FMMT619, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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