Bipolartransistor 2STR1230
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2STR1230
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 0.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 560
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2STR1230
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2STR1230
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