Bipolartransistor 2STR1230

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2STR1230

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 560
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2STR1230

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der 2STR1230-Transistor ist als "130" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2STR1230 ist der 2STR2230.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2STR1230

Sie können den Transistor 2STR1230 durch einen FMMT619 ersetzen.
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