Bipolartransistor BCW65

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 630
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW65 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW65A liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BCW65B im Bereich von 160 bis 400, die des BCW65C im Bereich von 250 bis 630.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW65 ist der BCW67.Sie können den Transistor BCW65 durch einen BCW66 oder FMMT619 ersetzen.