Bipolartransistor BCW66G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW66G kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW66 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW66F im Bereich von 100 bis 250, die des BCW66H im Bereich von 250 bis 630.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW66G ist der BCW68G.Sie können den Transistor BCW66G durch einen FMMT619 oder FMMT620 ersetzen.