Der KSD1616-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD1616-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSD1616-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1616-L im Bereich von 300 bis 600.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616-Y ist der KSB1116-Y.