Bipolartransistor 2SD602A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD602A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 340
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SD602A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD602A kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD602A-Q liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SD602A-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SD602A-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD602A-Transistor könnte nur mit "D602A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD602A ist der 2SB710A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD602A

Sie können den Transistor 2SD602A durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMTA05, FMMTA06, KST05 oder KST06 ersetzen.
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