Bipolartransistor KSD1616-L

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 300 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1616-U transistor

Der KSD1616-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD1616-L kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSD1616-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1616-Y im Bereich von 135 bis 270.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616-L ist der KSB1116-L.Der 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GK (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1622-U (SOT-89), 2STR1160 (SOT-23), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBT6428 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSD1616-L-Transistors.Der 2SD1616-U ist die TO-92-Version des KSD1616-L.Sie können den Transistor KSD1616-L durch einen 2SD1616, 2SD1616-U, 2SD1616A-U oder 2SD789 ersetzen.