Bipolartransistor 2SD667
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD667
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.9 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
- Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SD667
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD667
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com