Bipolartransistor KTD863

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD863

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863 transistor

Pinbelegung des KTD863

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD863 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD863-GR liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTD863-O im Bereich von 60 bis 120, die des KTD863-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD863 ist der KTB764.

SMD-Version des Transistors KTD863

Der 2SC3444 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) und KST05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KTD863-Transistors.

Transistor KTD863 im TO-92-Gehäuse

Der 2SD863 ist die TO-92-Version des KTD863.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD863

Sie können den Transistor KTD863 durch einen 2SD667 oder 2SD863 ersetzen.
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