Bipolartransistor BCX55
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCX55
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des BCX55
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCX55
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