Bipolartransistor KSD1616A-Y

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 270
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1616A-L transistor

Der KSD1616A-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD1616A-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des KSD1616A-G im Bereich von 200 bis 400.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616A-Y ist der KSB1116A-Y.Der 2SD1615A (SOT-89) und 2SD1615A-GQ (SOT-89) ist die SMD-Version des KSD1616A-Y-Transistors.Der 2SD1616A-L ist die TO-92-Version des KSD1616A-Y.Sie können den Transistor KSD1616A-Y durch einen 2SC3243, 2SD1616A, 2SD1616A-L, 2SD667 oder KTC1008 ersetzen.