Bipolartransistor KTC1008

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC1008

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008 transistor

Pinbelegung des KTC1008

Der KTC1008 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC1008 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC1008-GR liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTC1008-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC1008 ist der KTA708.

SMD-Version des Transistors KTC1008

Der FMMT491 (SOT-23), FMMT491Q (SOT-23) und KTC4378 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC1008-Transistors.

Transistor KTC1008 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1008 ist die TO-92-Version des KTC1008.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC1008

Sie können den Transistor KTC1008 durch einen 2SD667 ersetzen.
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