Bipolartransistor KTC1008
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC1008
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1008 transistor
Pinbelegung des KTC1008
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors KTC1008
Transistor KTC1008 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC1008
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