Bipolartransistor KSB986-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB986-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 4000 bis 10000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD986-L transistor

Pinbelegung des KSB986-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB986-O kann eine Gleichstromverstärkung von 4000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB986 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des KSB986-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB986-Y im Bereich von 8000 bis 30000.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB986-O ist der KSB795-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB986-O

Sie können den Transistor KSB986-O durch einen 2N6039, 2N6039G, 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-L, 2SD986, 2SD986-L, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSD1692, KSD1692-Y, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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