Bipolartransistor BC559C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC559C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC559C

Der BC559C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC559C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC559 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC559A im Bereich von 110 bis 220, die des BC559B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC559C ist der BC549C.

SMD-Version des Transistors BC559C

Der BC858 (SOT-23), BC858C (SOT-23), BC858CW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859C (SOT-23), BC859CW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC559C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC559C

Sie können den Transistor BC559C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC415, BC415C, BC416, BC416C, BC557, BC557C, BC558, BC558C, BC560 oder BC560C ersetzen.
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