Bipolartransistor BC859C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC859C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC859C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC859A im Bereich von 110 bis 220, die des BC859B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859C ist der BC849C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859C

Sie können den Transistor BC859C durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC857C, BC858, BC858C, BC860, BC860C, FMMT591A, FMMTA55, KST55, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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