Bipolartransistor BC859CW
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859CW
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Rauschzahl, max: 1 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
Pinbelegung des BC859CW
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859CW
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