Bipolartransistor BC859CW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859CW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC859CW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC859CW kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC859BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC859W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859CW ist der BC849CW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859CW

Sie können den Transistor BC859CW durch einen BC857CW, BC857W, BC858CW, BC858W, BC860CW oder BC860W ersetzen.
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