Bipolartransistor BC415

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC415

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC415

Der BC415 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC415 kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC415B liegt im Bereich von 180 bis 460, die des BC415C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC415 ist der BC413.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC415

Sie können den Transistor BC415 durch einen BC251, BC307, BC416, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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