Bipolartransistor BC559

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC559

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC559

Der BC559 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC559 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC559A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC559B im Bereich von 200 bis 450, die des BC559C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC559 ist der BC549.

SMD-Version des Transistors BC559

Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC559-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC559

Sie können den Transistor BC559 durch einen BC557, BC558 oder BC560 ersetzen.
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