Bipolartransistor 2SD2155-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2155-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD2155-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD2155-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2155 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SD2155-O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2155-R-Transistor könnte nur mit "D2155-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD2155-R ist der 2SB1429-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2155-R

Sie können den Transistor 2SD2155-R durch einen 2SC3263, 2SC3281, 2SC3281R, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC5949, 2SC5949-R, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145A, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MAG6333, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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