Bipolartransistor 2SC3281

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3281

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC3281

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3281 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3281O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SC3281R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3281-Transistor könnte nur mit "C3281" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3281 ist der 2SA1302.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3281

Sie können den Transistor 2SC3281 durch einen 2SC3320, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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