Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3281R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 150 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SC3281R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3281R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3281 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC3281O im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3281R-Transistor könnte nur mit "C3281R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3281R ist der 2SA1302R.