Bipolartransistor 2SC3281R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3281R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC3281R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3281R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3281 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC3281O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3281R-Transistor könnte nur mit "C3281R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3281R ist der 2SA1302R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3281R

Sie können den Transistor 2SC3281R durch einen 2SC3263, 2SC3320, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC5949, 2SC5949-R, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145A, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MAG6333, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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