Bipolartransistor 2SD1269-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1269-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1269-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1269-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1269 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1269-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1269-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1269-P-Transistor könnte nur mit "D1269-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1269-P ist der 2SB944-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1269-P

Sie können den Transistor 2SD1269-P durch einen 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SD1270, 2SD1270-P, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866-P, 2SD866A, 2SD866A-P, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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