Bipolartransistor 2SD866A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD866A-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD866A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD866A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD866A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD866A-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD866A-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD866A-P-Transistor könnte nur mit "D866A-P" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD866A-P

Sie können den Transistor 2SD866A-P durch einen BD543C, BD545C, BD801, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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