Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD866A-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD866A-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD866A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD866A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD866A-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD866A-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD866A-P-Transistor könnte nur mit "D866A-P" gekennzeichnet sein.