Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD601A-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 210 bis 340
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SD601A-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD601A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 210 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD601A liegt im Bereich von 160 bis 460, die des 2SD601A-Q im Bereich von 160 bis 260, die des 2SD601A-S im Bereich von 290 bis 460.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD601A-R-Transistor könnte nur mit "D601A-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD601A-R ist der 2SB709A-R.