Bipolartransistor 2SB646-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB646-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB646-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB646-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB646 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB646-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB646-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB646-C-Transistor könnte nur mit "B646-C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB646-C ist der 2SD666-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB646-C

Sie können den Transistor 2SB646-C durch einen 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1017, 2SA1017E, 2SA1024, 2SA1145, 2SA1207, 2SA1207-R, 2SA1208, 2SA1208-R, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1284, 2SA1315, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1450, 2SA1450-R, 2SA1533, 2SA777, 2SA817, 2SA817A, 2SA935, 2SA949, 2SA954, 2SA965, 2SA984K, 2SA984K-E, 2SB560, 2SB560-E, 2SB646A, 2SB646A-C, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AC, 2SB647C, HSB1109S, HSB1109S-C, KSA1013, KSA1013O, KSA709C, KSA916, KSP8599C, KTA1023, KTA1023-O, KTA1023-Y, KTA1024, KTA1274, KTA1275 oder KTA1275O ersetzen.
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