Bipolartransistor 2SA817A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA817A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA817A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA817A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA817A-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA817A-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA817A-Transistor könnte nur mit "A817A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA817A ist der 2SC1627A.

SMD-Version des Transistors 2SA817A

Der 2SA1620 (SOT-23) und KTA1662 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA817A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA817A

Sie können den Transistor 2SA817A durch einen 2N5401C, 2SA1275, 2SA1284, 2SA1315, 2SA984K, 2SB560, 2SB647, KSA1013, KSA709C, KTA1274 oder KTA1275 ersetzen.
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