Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1208-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA1208-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1208-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1208 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1208-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1208-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1208-R-Transistor könnte nur mit "A1208-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1208-R ist der 2SC2910-R.