Bipolartransistor 2SA1013

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1013

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1013

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1013 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1013O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1013R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1013-Transistor könnte nur mit "A1013" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1013 ist der 2SC2383.

SMD-Version des Transistors 2SA1013

Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1013-Transistors.

Transistor 2SA1013 im TO-92-Gehäuse

Der KSA1013 ist die TO-92-Version des 2SA1013.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1013

Sie können den Transistor 2SA1013 durch einen 2SA1275, KSA1013 oder KTA1275 ersetzen.
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