Bipolartransistor 2SB647AC

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB647AC

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB647AC

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB647AC kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB647A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB647AB im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB647AC-Transistor könnte nur mit "B647AC" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB647AC ist der 2SD667AC.

SMD-Version des Transistors 2SB647AC

Der 2SA1201 (SOT-89), 2SB806 (SOT-89), 2SB806-KR (SOT-89), 2SD1007 (SOT-89), 2SD1007-HR (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB647AC-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB647AC

Sie können den Transistor 2SB647AC durch einen 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA965, KSA1013, KSA1013O, KTA1275 oder KTA1275O ersetzen.
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