Bipolartransistor 2SB647

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB647 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB647B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB647C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB647D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB647-Transistor könnte nur mit "B647" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB647 ist der 2SD667.Sie können den Transistor 2SB647 durch einen 2SA1275, KSA1013 oder KTA1275 ersetzen.