Bipolartransistor KSA709C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSA709C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA709.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSA709C kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA709CG liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSA709CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA709CY im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA709C ist der KSC1009C.