Bipolartransistor HSB1109S-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors HSB1109S-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor

Pinbelegung des HSB1109S-C

Der HSB1109S-C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor HSB1109S-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109S liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSB1109S-B im Bereich von 60 bis 120, die des HSB1109S-D im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109S-C ist der HSD1609S-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor HSB1109S-C

Sie können den Transistor HSB1109S-C durch einen 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O oder KTA1279 ersetzen.
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