Bipolartransistor HSB1109S-C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor

Der HSB1109S-C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSB1109S-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109S liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSB1109S-B im Bereich von 60 bis 120, die des HSB1109S-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109S-C ist der HSD1609S-C.Sie können den Transistor HSB1109S-C durch einen 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O oder KTA1279 ersetzen.