Bipolartransistor 2SB646-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB646-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB646 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB646-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB646-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB646-B-Transistor könnte nur mit "B646-B" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB646-B ist der 2SD666-B.Sie können den Transistor 2SB646-B durch einen 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SA1284, 2SA984K, 2SA984K-D, 2SB560, 2SB560-D, 2SB646A, 2SB646A-B, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB, 2SB647B, BC640, HSB1109S, HSB1109S-B, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 oder KTA1275R ersetzen.