Bipolartransistor 2SA949
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA949
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA949
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
SMD-Version des Transistors 2SA949
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA949
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