Bipolartransistor HSB1109S

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109 transistor

Der HSB1109S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSB1109S kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109S-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des HSB1109S-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSB1109S-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109S ist der HSD1609S.Sie können den Transistor HSB1109S durch einen 2SA1275, 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624, KSA1013, KTA1275 oder KTA1279 ersetzen.