Bipolartransistor 2SA817

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
• Verlustleistung, max: 0.6 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA817 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA817 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA817-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA817-Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA817-Transistor könnte nur mit "A817" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA817 ist der 2SC1627.Der 2SA1620 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA817-Transistors.Sie können den Transistor 2SA817 durch einen 2N5401C, 2SA1275, 2SA1284, 2SA1315, 2SA817A, 2SA984K, 2SB560, 2SB647, KSA1013, KSA709C, KTA1274 oder KTA1275 ersetzen.