Bipolartransistor 2SA965

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA965

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA965

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA965 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA965-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA965-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA965-Transistor könnte nur mit "A965" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA965 ist der 2SC2235.

SMD-Version des Transistors 2SA965

Der 2SA1201 (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA965-Transistors.
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