Bipolartransistor 2SB631-D

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB631-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB631-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB631-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631-D-Transistor könnte nur mit "B631-D" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631-D ist der 2SD600-D.Der 2SA1368 (SOT-89) und 2SA1368-C (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB631-D-Transistors.Sie können den Transistor 2SB631-D durch einen 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, BD792, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A, KSA1220A-R, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.