Bipolartransistor 2SB806

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB806 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB806-KP liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB806-KQ im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB806-KR im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB806-Transistor könnte nur mit "B806" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB806 ist der 2SD1007.Sie können den Transistor 2SB806 durch einen 2SD1007 ersetzen.