Bipolartransistor 2SD1007-HR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1007-HR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1007-HR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1007-HR kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1007 liegt im Bereich von 90 bis 400, die des 2SD1007-HP im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1007-HQ im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Der 2SD1007-HR-Transistor ist als "HR" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1007-HR ist der 2SB806-KR.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1007-HR

Sie können den Transistor 2SD1007-HR durch einen 2SA1201, 2SB806, 2SB806-KR oder KTA1661 ersetzen.
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