Transistor bipolaire MJ900

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ900 est le MJ1000.Vous pouvez remplacer le transistor MJ900 par 2N6649, 2N6650, BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ901, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 ou TIP647.