Transistor bipolaire MJ11011G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11011G est la version sans plomb du transistor MJ11011

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11011G est le MJ11012G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11011G par MJ11011, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 ou MJ11033G.