Transistor bipolaire BDX66B
Caractéristiques électriques du transistor BDX66B
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -16 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du BDX66B
Complémentaire du transistor BDX66B
Substituts et équivalents pour le transistor BDX66B
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