Transistor bipolaire BDX66B

Caractéristiques électriques du transistor BDX66B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -16 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX66B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX66B

Le transistor NPN complémentaire du BDX66B est le BDX67B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX66B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX66B par BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G ou MJ4032.
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