Transistor bipolaire MJ11029

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11029 est le MJ11028.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11029 par MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 ou MJ11033G.Le transistor MJ11029G est la version sans plomb du MJ11029.