Transistor bipolaire MJ11013G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11013G est la version sans plomb du transistor MJ11013

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11013G est le MJ11014G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11013G par MJ11013, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 ou MJ11033G.