Transistor bipolaire BDX62

Caractéristiques électriques du transistor BDX62

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 7 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX62

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX62

Le transistor NPN complémentaire du BDX62 est le BDX63.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX62

Vous pouvez remplacer le transistor BDX62 par 2N6649, 2N6650, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ900, MJ901, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 ou TIP647.
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