Transistor bipolaire TIP647

Caractéristiques électriques du transistor TIP647

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 175 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du TIP647

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor TIP647

Le transistor NPN complémentaire du TIP647 est le TIP642.

Substituts et équivalents pour le transistor TIP647

Vous pouvez remplacer le transistor TIP647 par BDX64B, BDX64C, BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G, MJ4032 ou TIP607.
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