Transistor bipolaire MJ11029G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11029G est la version sans plomb du transistor MJ11029

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11029G est le MJ11028G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11029G par MJ11029, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 ou MJ11033G.