Transistor bipolaire 2N6649
Caractéristiques électriques du transistor 2N6649
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 1000 à 20000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2N6649
Complémentaire du transistor 2N6649
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6649
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