Transistor bipolaire MJ11033G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11033G est la version sans plomb du transistor MJ11033

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11033G est le MJ11032G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11033G par MJ11033.